[PDF电子书下载]垂直型GaN和SiC功率器件_望月和浩（Kazuhiro Mochizuki）

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垂直型GaN和SiC功率器件_望月和浩（Kazuhiro Mochizuki）_机械工业出版社,2022.06.27

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书名：垂直型GaN和SiC功率器件
作者：望月和浩（Kazuhiro Mochizuki）
ISBN：978-7-111-70502-4
出版社：机械工业出版社
出版日期：2022.06.27
近年来.以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽禁带半导体化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目.第三代半导体广泛应用于新一代移动通信、新能源汽车、物联网和国防电子等产业.已成为国际半导体领域的重点研究方向. 本书主要介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术.内容涵盖垂直型和横向功率半导体器件的比较.GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺、主要器件结构与特性.以及垂直型GaN和SiC功率器件的可靠性研究等. 本书适合从事GaN和SiC功率半导体技术的科研工作者、工程师阅读.也可作为高等院校微电子科学与工程、电力电子技术等相关专业的教材.

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