碳化硅器件工艺核心技术_康斯坦丁·泽肯特斯(Konstantinos Zekentes),康斯坦丁·瓦西列夫斯基(Konstantin Vasilevskiy)_机械工业出版社,2024.01.03
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书名:碳化硅器件工艺核心技术
作者:康斯坦丁·泽肯特斯(Konstantinos Zekentes),康斯坦丁·瓦西列夫斯基(Konstantin Vasilevskiy)
ISBN:978-7-111-74188-6
出版社:机械工业出版社
出版日期:2024.01.03
《碳化硅器件工艺核心技术》共9章,以碳化硅(SiC)器件工艺为核心,重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术,以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等,每一部分都涵盖了上百篇相关文献,以反映这些方面的最新成果和发展趋势。
《碳化硅器件工艺核心技术》可作为理工科院校物理类专业、电子科学与技术专业以及材料科学等相关专业研究生的辅助教材和参考书,也可供相关领域的工程技术人员参考。
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